بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)
نویسندگان
چکیده
در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی si(100) با si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که si(111) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.
منابع مشابه
بررسی ورقه‌های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه‌های سیلیکونی (100)
In the last decade, Si(100) has been used as a suitable substrate in field effect transistors. Some issues such as leakage current and tunneling current through the ultrathin films have been increased with shrinking the electronic devices – particularly, field effect transistors – to nanoscale, which is threatening more use of Si(100). We have thus demonstrated a series of experiments to grow ...
متن کاملتحلیل پدیده های غیرخطی در فوتونیک سیلیکونی
اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...
متن کاملتحلیل پدیده های غیرخطی در فوتونیک سیلیکونی
اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...
متن کاملمقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کامللایهنشانی و بررسی خواص لایه نازک کربن شبه الماسی اعمال شده بر پنجره مادون-قرمز سیلیکونی
پنجرههای مادون قرمز به عنوان محافظ سامانههای الکترواپتیک در صنایع هوایی و فضایی مورد استفاده قرار میگیرند. با این حال این پنجرهها تحت تاثیر شرایط نامساعد محیطی قرار گرفته و در نتیجه عملکرد سامانههای الکترواپتیک نیز دچار اختلال میشود. اعمال پوششهای محافظ بر پنجرههای مادون قرمز باعث افزایش عملکرد این پنجرهها خواهد شد. در این تحقیق لایه نازک کربن شبه الماسی با استفاده از دو گاز هیدروژن و...
متن کاملمشخصه یابی اتصال Ni/Cu براساس شیوه لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل برای سلول های خورشیدی مولتی کریستال سیلیکونی
در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان اتصال اهمی بر روی زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی (آبکاری الکتریکی) لایه �نشانی و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. به منظور ایجاد ساختار مورد نظر، نیکل به دو روش آبکاری غیرالکتریکی و الکتریکی بر روی زیرلایه�های n+-Si� لایه نشانی شده و پس از گرمادهی (جهت بهبود خواص کریستالی)، لایه�ای از مس به روش آبکاری الکتریکی به منظور کاهش مقاومت سطحی و ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۲، شماره ۱، صفحات ۸۵-۸۹
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023